Planartechnik

Planartechnik,

 

Verfahren in der Halbleitertechnologie und Mikroelektronik zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und Chips; dabei wird das Halbleitermaterial, meist ein Siliciumsubstrat, mittels Diffusion an ausgewählten Bereichen der Oberfläche dotiert (Dotierung), sodass planare, d. h. flache, der Oberfläche parallele Strukturen entstehen (integrierte Schaltung). Das Substrat wird zunächst durch einen für die Dotierungsstoffe undurchlässigen Film (Siliciumdioxid, SiO₂) geschützt, in den dann »Fenster« geätzt werden, durch die die Dotierung erfolgen kann. Die Diffusion der Dotierungsatome (bei Temperaturen von etwa 1 200 ºC) ins Substrat hinein erzeugt dort p- oder n-leitende Zonen, je nach Art des Dotierungsstoffes (Akzeptor, z. B. Bor, oder Donator, z. B. Phosphor). Die Fenster können anschließend wieder mit einem Schutzfilm verschlossen werden, wodurch wiederholtes Ätzen zum Einbringen weiterer Dotierungszonen oder das Aufdampfen metallischer Kontaktstellen ermöglicht wird. Mit der Planartechnik lassen sich mehrere Tausend Bauelemente gleichzeitig auf einer Halbleiterkristallscheibe herstellen. Der Schutzfilm schützt hierbei die Oberfläche vor chemischen Umwandlung und Umwelteinflüssen und erhöht die Zuverlässigkeit des Bauelements.